中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所駱軍委研究員團隊聯(lián)合寧波東方理工大學(xué)魏蘇淮教授，通過揭示巖鹽礦結(jié)構(gòu)(rs)BeO反常地同時擁有超高介電常數(shù)和超寬帶隙的起源，創(chuàng)新性地提出通過拉升原子鍵降低化學(xué)鍵強度實現(xiàn)光學(xué)聲子軟化的新理論，并提出該新方法可以免于困擾傳統(tǒng)鐵電材料的界面退極化效應(yīng)，成功解釋了硅基外延HfO2和ZrO2薄膜在厚度降低到2-3nm時才出現(xiàn)鐵電性的“逆尺寸效應(yīng)”。該純理論的研究成果于2024年10月31日以“降低原子化學(xué)鍵強度引起免于退極化效應(yīng)的光學(xué)聲子軟化(Softening of the optical phonon by reduced interatomic bonding strength?without depolarization)”為題，發(fā)表在《自然》雜志(Nature)。
在該工作中，研究團隊注意到rs-BeO反常地?fù)碛?0.6 eV的超寬帶隙和介電常數(shù)高達271??0，遠超HfO2的6 eV帶隙和25??0介電常數(shù)。該工作揭示，由于rs-BeO中的Be原子很小導(dǎo)致相鄰兩個氧原子的電子云高度重疊，產(chǎn)生強烈的庫侖排斥力拉升了原子間距，顯著降低了原子鍵的強度和光學(xué)聲子模頻率，導(dǎo)致其介電常數(shù)從閃鋅礦相的3.2 ?0(閃鋅礦相中氧原子相距較遠電子云重疊很小)躍升至271??0?；谶@一發(fā)現(xiàn)，提出了通過拉升原子鍵長度來降低原子鍵強度，從而實現(xiàn)光學(xué)聲子模軟化的新理論。
由于該光學(xué)聲子模軟化驅(qū)動的鐵電相變不依賴傳統(tǒng)鐵電相變所需的強庫侖作用，因此可以有效避免界面退極化效應(yīng)。研究團隊利用上述理論成功解釋了在Si/SiO2襯底上外延生長的Hf0.8Zr0.2O2和ZrO2薄膜在厚度降低到2-3nm時才出現(xiàn)鐵電性的“逆尺寸效應(yīng)”：當(dāng)Hf0.8Zr0.2O2或ZrO2薄膜減薄至2-3nm時，襯底晶格失配對外延薄膜施加顯著的雙軸應(yīng)變降低原子鍵強度，軟化TO聲子模使其頻率降低至零而導(dǎo)致鐵電相變，理論預(yù)測的長寬比和面間距兩個特征結(jié)構(gòu)因子可以完美重復(fù)實驗測量值。
離子半徑差異、應(yīng)變、摻雜和晶格畸變都可以拉升原子鍵長度降低原子鍵強度，該發(fā)現(xiàn)為通過上述手段實現(xiàn)薄膜鐵電相變提供了統(tǒng)一的理論框架。光學(xué)聲子模軟化是凝聚態(tài)物理中的高k介電材料、鐵電材料、相變材料、熱電材料和多鐵材料的關(guān)鍵因素，該工作為設(shè)計晶體管高k介電層和發(fā)展兼容CMOS工藝的超高密度鐵電、相變存儲等新原理器件提供了新思路。
半導(dǎo)體所曹茹月博士為論文第一作者，楊巧林為第二作者;半導(dǎo)體所駱軍委研究員、鄧惠雄研究員和寧波東方理工大學(xué)魏蘇淮教授為共同通訊作者;其他合作者還包括劍橋大學(xué)John Robertson教授。
該研究工作得到了國家自然科學(xué)基金委國家杰出青年科學(xué)基金項目、重大儀器研制項目和重大項目、中國科學(xué)院穩(wěn)定支持青年團隊和戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(B類)等大力支持。
（來源：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所）
